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POWER7的主要技術(shù)特性? [復(fù)制鏈接]

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發(fā)表于 2011-06-22 21:27 |只看該作者 |倒序瀏覽
POWER7的主要特性如下:

    * 芯片面積567mm2: 45nm 硅絕緣、銅互聯(lián)制造工藝, eDRAM

    * 相當(dāng)于27億個晶體管的處理能力

    * 實際使用12億個晶體管

    * eDRAM技術(shù)使能耗使用效率提高

    * NOTE: Nahalem使用了23億個晶體管

    * 8個處理器內(nèi)核

    * 每核12個執(zhí)行單元

    * 每核4路SMT

    * 每芯片32個線程

    * 每核256KB二級緩存

    * 片內(nèi)32MB共享的eDRAM三級緩存

    * 雙DDR3內(nèi)存控制器

    * 每芯片100GB/s內(nèi)存帶寬

    * 可擴(kuò)展到32個芯片互聯(lián)

    * 每芯片360GB/s SMP帶寬

    * 可以同時維持20000個緩存一致性操作

    * 硬件指令和數(shù)據(jù)預(yù)取

    * 與POWER6二進(jìn)制兼容

    * 第四代的SMP總線構(gòu)架

    * 第三代多線程技術(shù)-SMT4

    突出價值點(diǎn):這是一款“劃時代”的產(chǎn)品,專為“智慧地球”打造,重新定義業(yè)界對性能的觀點(diǎn),POWER7處理器的誕生為小型機(jī)開啟了新紀(jì)元。
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