一個(gè)關(guān)于內(nèi)存的問題

heyangya

首先我在驅(qū)動(dòng)中使用kmalloc,GFP_KERNEL申請(qǐng)了一塊內(nèi)存
然后在usb的complete函數(shù)中，對(duì)內(nèi)存進(jìn)行填充數(shù)據(jù)
應(yīng)用程序會(huì)循環(huán)讀取這塊內(nèi)存數(shù)據(jù)（使用的是物理地址），將內(nèi)容顯示到屏幕

現(xiàn)在的問題是發(fā)現(xiàn)圖像有內(nèi)容殘缺不全，殘缺內(nèi)容隨機(jī)。

我做了一些試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)如果對(duì)已填充好的數(shù)據(jù)，進(jìn)行這樣的操作，圖像就可以顯示完全：
u8 *xx=image_buf;//image_buf是緩沖區(qū)虛擬地址指針
memcpy(image_buf,xx,len);//len是緩沖區(qū)長(zhǎng)度

我猜測(cè)是cache和內(nèi)存不一致引起的，但是我使用了各種cacheflush操作，也沒有起到作用。
而且感覺cache跟進(jìn)程有關(guān)系，但是我這個(gè)是usb的complete函數(shù)。

對(duì)cache完全不了解，求幫助！ 謝謝！

EZWORD

       啥平臺(tái)

wwxxxxll

那把image_buf定義成volatile可以嗎？試試！

heyangya

平臺(tái)是ARM A9  ,  海思3716MV300
32K icache   32K dcache
256K L2
物理地址 ， 物理tag.

使用volatile是沒有用的，我試過。

我又做了個(gè)實(shí)驗(yàn)：
u8 *xx=kmalloc(len,GFP_ATOMIC);//image_buf是緩沖區(qū)虛擬地址指針
memcpy(xx,image_buf,len);//len是緩沖區(qū)長(zhǎng)度
這樣圖像也不會(huì)出錯(cuò)。
我覺得，cache的寫策略應(yīng)該是write-back，上面由于讀cache時(shí)替換cache,然后cache中的內(nèi)容被寫回memory.
但是我還是不知道，怎么手動(dòng)將cache刷回內(nèi)存，或者屏蔽cache。

hnzpzg

用申請(qǐng)buffer的接口函數(shù)換成dma_alloc_coherent，申請(qǐng)一個(gè)一致性緩沖區(qū)試試？

heyangya

回復(fù) 5# hnzpzg


    我要申請(qǐng)的是多個(gè)緩沖區(qū)，用這個(gè)函數(shù)內(nèi)存不夠。

heyangya

已經(jīng)找到了刷新L2的函數(shù)：
outer_flush_all();
調(diào)用這個(gè)函數(shù)后就好了，謝謝各位的回答。

wwxxxxll

不錯(cuò)，恭喜！��！
我也在用海思的，hi3531

hnzpzg

L1不用刷嗎？

heyangya

回復(fù) 9# hnzpzg


    看起來不刷也沒有關(guān)系,
　但是我還是刷了,按道理需要